TPH12008NH,L1Q - MOSFET N CH 80V 24A SOP

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
MOSFET N CH 80V 24A SOP
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
878955 Pieces
Precio de referencia
USD 0.3192
Nuestro precio
- (Póngase en contacto con nosotros para obtener un mejor precio: [email protected])

AX Semiconductor tiene TPH12008NH,L1Q en stock para vender. Podemos enviarle dentro de 1-2 días. Póngase en contacto con nosotros para obtener un mejor precio para TPH12008NH,L1Q. Nuestro correo electrónico: [email protected]
Opciones de envío y tiempo de envío:
DHL: 2-3 days.
FEDEX: 2-3 days.
UPS: 2-4 days.
TNT: 3-5 days.
EMS: 5-8 days.
Normal Post: 10-15 days.
Opciones de pago:
Paypal (Credit Card)
Bank Transfer (Wire Transfer)
Western Union
MoneyGram

Especificaciones para TPH12008NH,L1Q

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : TPH12008NH,L1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción : MOSFET N CH 80V 24A SOP
Serie : U-MOSVIII-H
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 24A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.3 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 300µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1900pF @ 40V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SOP Advance (5x5)
Paquete / Caja : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condición : Nuevo y original
enlaces relacionados : TPH1 , TPH1200

Documentos para TPH12008NH,L1Q

Hojas de datos : TPH12008NH,L1Q.pdf

Productos relacionados para TPH12008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza Marca Descripción Comprar

WI106266WP40236BJ1

Vishay Beyschlag

CAP CER 4000PF 20KV SCREW.

WF135285WP50238BJ1

Vishay Beyschlag

CAP CER 5000PF 20KV SCREW.

WF110250WJ47238BJ1

Vishay Beyschlag

CAP CER 4700PF 14KV SCREW.

WF135272WL60236BJ1

Vishay Beyschlag

CAP CER 6000PF 16KV SCREW.

CDR32BP102BJZRAC

Vishay Vitramon

CAP CER 1000PF 100V BP 1206.

BZ118100WV10136CB1

Vishay Beyschlag

CAP CER 100PF 30KV AXIAL.

WF135272WL60238BJ1

Vishay Beyschlag

CAP CER 6000PF 16KV SCREW.

WF135285WP50236BJ1

Vishay Beyschlag

CAP CER 5000PF 20KV SCREW.

WF135272WL60238BJ2

Vishay Beyschlag

CAP CER 6000PF 16KV SCREW.

WF165270WL76238BJ1

Vishay Beyschlag

CAP CER 7600PF 16KV SCREW.

WF165278WP60238BJ1

Vishay Beyschlag

CAP CER 6000PF 20KV SCREW.

WF135242BQ25236BJ1

Vishay Beyschlag

CAP CER 2500PF 25KV SCREW.

TF170279BQ50236BJ1

Vishay Beyschlag

CAP CER 5000PF 25KV R85.

VJ0603Q3R3CEAAO

Vishay Vitramon

CAP CER 3.3PF 50V C0G/NP0 0603.

WF125405WJ10338BJ1

Vishay Beyschlag

CAP CER 10000PF 14KV SCREW.

WI106266WP40236BJ2

Vishay Beyschlag

CAP CER 4000PF 20KV SCREW.

SR152A2R2CAA

AVX Corporation

CAP CER 2.2PF 200V C0G/NP0 RAD.

PZ0140WL10138CB1

Vishay Beyschlag

CAP CER 100PF 16KV DISK.

WI085260WJ47238BJ1

Vishay Beyschlag

CAP CER 4700PF 14KV SCREW.

WZ125178BH30236BJ1

Vishay Beyschlag

CAP CER 3000PF 10KV.