SISS04DN-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

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Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
640005 Pieces
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Especificaciones para SISS04DN-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SISS04DN-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-
Serie : TrenchFET® Gen IV
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 50.5A (Ta), 80A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 93nC @ 10V
Vgs (Max) : +16V, -12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 4460pF @ 15V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® 1212-8S
Paquete / Caja : PowerPAK® 1212-8S
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : SISS04DN-T1-GE3.pdf

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