IPP16CN10LGXKSA1 - MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3
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Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
8528 Pieces
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Especificaciones para IPP16CN10LGXKSA1
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IPP16CN10LGXKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3
Serie : OptiMOS™
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 54A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15.7 mOhm @ 54A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 61µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 4190pF @ 50V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TO220-3
Paquete / Caja : TO-220-3
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para IPP16CN10LGXKSA1
Hojas de datos : IPP16CN10LGXKSA1.pdf
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