IRF3709ZS - MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-IRF3709ZS
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
66690 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para IRF3709ZS
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
IRF3709ZS
Fabricante :
Infineon Technologies
Descripción :
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
Serie :
HEXFET®
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
87A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.3 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.25V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
26nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
2130pF @ 15V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
D2PAK
Paquete / Caja :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para IRF3709ZS
Hojas de datos :
IRF3709ZS.pdf
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