IRLBD59N04ETRLP - MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5

Número de pieza del fabricante

IRLBD59N04ETRLP

Número interno de parte

AX-IRLBD59N04ETRLP

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

66020 Pieces

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Especificaciones para IRLBD59N04ETRLP

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRLBD59N04ETRLP

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5

Serie : HEXFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 40V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 59A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 5V

Vgs (Max) : ±10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2190pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 130W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-263-5

Paquete / Caja : TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IRLBD , IRLBD59

Documentos para IRLBD59N04ETRLP

Hojas de datos : IRLBD59N04ETRLP.pdf

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