FDS2582 - MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
779365 Pieces
Precio de referencia
USD 0.359988
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Especificaciones para FDS2582

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : FDS2582
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Serie : PowerTrench®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 150V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4.1A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 66 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1290pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SOIC
Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : FDS2582.pdf

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