BYV30JT-600PQ - DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
26565 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para BYV30JT-600PQ
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : BYV30JT-600PQ
Fabricante : WeEn Semiconductors
Descripción : DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo de diodo : Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 600V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 30A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.8V @ 30A
Velocidad : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) : 65ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitancia a Vr, F : -
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete / Caja : TO-3P-3, SC-65-3
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-3P
Temperatura de funcionamiento - Unión : 175°C (Max)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para BYV30JT-600PQ
Hojas de datos : BYV30JT-600PQ.pdf
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