ZXM66P02N8TA - MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC

Número de pieza del fabricante

ZXM66P02N8TA

Número interno de parte

AX-ZXM66P02N8TA

Fabricante

Diodes Incorporated

Breve descripción

MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

64780 Pieces

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Especificaciones para ZXM66P02N8TA

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : ZXM66P02N8TA

Fabricante : Diodes Incorporated

Descripción : MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 6.4A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 43.3nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2068pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1.56W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SO

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : ZXM6 , ZXM66P

Documentos para ZXM66P02N8TA

Hojas de datos : ZXM66P02N8TA.pdf

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GRM0225C1E5R6DDAEL	Murata Electronics North America	CAP CER 5.6PF 25V C0G/NP0 01005.
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