IPP50R299CPHKSA1 - MOSFET N-CH 550V TO220-3

Número de pieza del fabricante

IPP50R299CPHKSA1

Número interno de parte

AX-IPP50R299CPHKSA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 550V TO220-3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

22080 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para IPP50R299CPHKSA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IPP50R299CPHKSA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 550V TO220-3

Serie : CoolMOS™

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 550V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 12A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 299 mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 440µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1190pF @ 100V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 104W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TO220-3-1

Paquete / Caja : TO-220-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IPP50 , IPP50R29

Documentos para IPP50R299CPHKSA1

Hojas de datos : IPP50R299CPHKSA1.pdf

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