W632GG8MB12I TR - IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
140455 Pieces
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Especificaciones para W632GG8MB12I TR
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : W632GG8MB12I TR
Fabricante : Winbond Electronics
Descripción : IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnología : SDRAM - DDR3
Tamaño de la memoria : 2Gb (128M x 16)
Frecuencia de reloj : 800MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : -
Tiempo de acceso : 20ns
interfaz de memoria : Parallel
Suministro de voltaje : 1.425V ~ 1.575V
Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 78-VFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor : 78-VFBGA (10.5x8)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para W632GG8MB12I TR
Hojas de datos : W632GG8MB12I TR.pdf
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