SISA88DN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK

Número de pieza del fabricante

SISA88DN-T1-GE3

Número interno de parte

AX-SISA88DN-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

2252655 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para SISA88DN-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SISA88DN-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK

Serie : TrenchFET® Gen IV

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 16.2A (Ta), 40.5A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.7 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 25.5nC @ 10V

Vgs (Max) : +20V, -16V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 985pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® 1212-8

Paquete / Caja : PowerPAK® 1212-8

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para SISA88DN-T1-GE3

Hojas de datos : SISA88DN-T1-GE3.pdf

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