BS108/01,126 - MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

Número de pieza del fabricante

BS108/01,126

Número interno de parte

AX-BS108/01,126

Fabricante

NXP USA Inc.

Breve descripción

MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

24080 Pieces

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Especificaciones para BS108/01,126

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : BS108/01,126

Fabricante : NXP USA Inc.

Descripción : MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 300mA (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.8V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 100mA, 2.8V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 120pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-92-3

Paquete / Caja : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : BS10 , BS108/

Documentos para BS108/01,126

Hojas de datos : BS108/01,126.pdf

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