K4F2E3S4HM-MHCJ - 12 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production

Número de pieza del fabricante

K4F2E3S4HM-MHCJ

Número interno de parte

AX-K4F2E3S4HM-MHCJ

Fabricante

Samsung Semiconductor

Breve descripción

12 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

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Especificaciones para K4F2E3S4HM-MHCJ

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : K4F2E3S4HM-MHCJ

Fabricante : Samsung Semiconductor

Descripción : 12 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production

Serie : DDR3

Densidad : 12 Gb

Org. : x32

Velocidad : 3733 Mbps

voltaje : 1.8 / 1.1 / 1.1 V

Temperatura. : -40 ~ 105 °C

Paquete : 200FBGA

Estado del producto : Mass Production

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : K4F2E , K4F2E3S

Documentos para K4F2E3S4HM-MHCJ

Hojas de datos : K4F2E3S4HM-MHCJ.pdf

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WF165335WL10336BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 16KV SCREW.
WF110250WJ50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
WI140316WQ75236BJ4	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WF095220WF50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 12KV SCREW.
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WF165335WL10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 16KV SCREW.
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