K4F2E3S4HM-MHCJ - 12 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
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Breve descripción
12 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
116095 Pieces
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Especificaciones para K4F2E3S4HM-MHCJ
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
K4F2E3S4HM-MHCJ
Fabricante :
Samsung Semiconductor
Descripción :
12 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
Serie :
DDR3
Densidad :
12 Gb
Org. :
x32
Velocidad :
3733 Mbps
voltaje :
1.8 / 1.1 / 1.1 V
Temperatura. :
-40 ~ 105 °C
Paquete :
200FBGA
Estado del producto :
Mass Production
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para K4F2E3S4HM-MHCJ
Hojas de datos :
K4F2E3S4HM-MHCJ.pdf
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