IXTA180N10T7 - MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7

Número de pieza del fabricante

IXTA180N10T7

Número interno de parte

AX-IXTA180N10T7

Fabricante

IXYS

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

141365 Pieces

Precio de referencia

~~USD 1.98456~~

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Especificaciones para IXTA180N10T7

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IXTA180N10T7

Fabricante : IXYS

Descripción : MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7

Serie : TrenchMV™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 180A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.4 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 151nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 6900pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 480W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-263-7 (IXTA..7)

Paquete / Caja : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IXTA , IXTA18

Documentos para IXTA180N10T7

Hojas de datos : IXTA180N10T7.pdf

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