IGT60R190D1SATMA1 - IC GAN FET 600V 23A 8HSOF

Número de pieza del fabricante

IGT60R190D1SATMA1

Número interno de parte

AX-IGT60R190D1SATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

IC GAN FET 600V 23A 8HSOF

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

53295 Pieces

Precio de referencia

~~USD 5.263446~~

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Especificaciones para IGT60R190D1SATMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IGT60R190D1SATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : IC GAN FET 600V 23A 8HSOF

Serie : CoolGaN™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : GaNFET (Gallium Nitride)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 12.5A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 960µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 157pF @ 400V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 55.5W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-HSOF-8-3

Paquete / Caja : 8-PowerSFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IGT60 , IGT60R19

Documentos para IGT60R190D1SATMA1

Hojas de datos : IGT60R190D1SATMA1.pdf

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