AS4C64M16D1-6TIN - IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
26418 Pieces
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Especificaciones para AS4C64M16D1-6TIN
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : AS4C64M16D1-6TIN
Fabricante : Alliance Memory, Inc.
Descripción : IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnología : SDRAM - DDR
Tamaño de la memoria : 1Gb (64M x 16)
Frecuencia de reloj : 166MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : 15ns
Tiempo de acceso : 700ps
interfaz de memoria : Parallel
Suministro de voltaje : 2.3V ~ 2.7V
Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor : 66-TSOP II
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para AS4C64M16D1-6TIN
Hojas de datos : AS4C64M16D1-6TIN.pdf
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