PSMN3R5-30LL,115 - MOSFET N-CH 30V QFN3333

Número de pieza del fabricante

PSMN3R5-30LL,115

Número interno de parte

AX-PSMN3R5-30LL,115

Fabricante

NXP USA Inc.

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V QFN3333

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

10984 Pieces

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Especificaciones para PSMN3R5-30LL,115

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : PSMN3R5-30LL,115

Fabricante : NXP USA Inc.

Descripción : MOSFET N-CH 30V QFN3333

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 40A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.15V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 37nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2061pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 71W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-DFN3333 (3.3x3.3)

Paquete / Caja : 8-VDFN Exposed Pad

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : PSMN3 , PSMN3R5-

Documentos para PSMN3R5-30LL,115

Hojas de datos : PSMN3R5-30LL,115.pdf

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