K4B4G1646D-BYNB - 4 Gb 256M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
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Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
4 Gb 256M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
105340 Pieces
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Especificaciones para K4B4G1646D-BYNB
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
K4B4G1646D-BYNB
Fabricante :
Samsung Semiconductor
Descripción :
4 Gb 256M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
Serie :
DDR3
Densidad :
4 Gb
Org. :
256M x 16
Velocidad :
2133 Mbps
voltaje :
1.35 V
Temperatura. :
0 ~ 85 °C
Paquete :
96FBGA
Estado del producto :
Mass Production
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para K4B4G1646D-BYNB
Hojas de datos :
K4B4G1646D-BYNB.pdf
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