GA10JT12-263 - TRANS SJT 1200V 25A

Número de pieza del fabricante

GA10JT12-263

Número interno de parte

AX-GA10JT12-263

Fabricante

GeneSiC Semiconductor

Breve descripción

TRANS SJT 1200V 25A

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

32480 Pieces

Precio de referencia

~~USD 12.09~~

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Especificaciones para GA10JT12-263

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : GA10JT12-263

Fabricante : GeneSiC Semiconductor

Descripción : TRANS SJT 1200V 25A

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : -

Tecnología : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 25A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 10A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1403pF @ 800V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 170W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : -

Paquete / Caja : -

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para GA10JT12-263

Hojas de datos : GA10JT12-263.pdf

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