1N4446_T50R - DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-1N4446_T50R
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
12072 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para 1N4446_T50R
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
1N4446_T50R
Fabricante :
ON Semiconductor
Descripción :
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Serie :
-
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo de diodo :
Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) :
100V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) :
200mA
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si :
1V @ 20mA
Velocidad :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tiempo de recuperación inverso (trr) :
4ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr :
25nA @ 20V
Capacitancia a Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete / Caja :
DO-204AH, DO-35, Axial
Paquete del dispositivo del proveedor :
DO-35
Temperatura de funcionamiento - Unión :
175°C (Max)
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para 1N4446_T50R
Hojas de datos :
1N4446_T50R.pdf
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