JANTXV1N6629US - DIODE GEN PURP 800V 1.4A D5B
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Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 800V 1.4A D5B
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
24507 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para JANTXV1N6629US
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : JANTXV1N6629US
Fabricante : Microsemi Corporation
Descripción : DIODE GEN PURP 800V 1.4A D5B
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo de diodo : Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 800V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 1.4A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.4V @ 1.4A
Velocidad : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) : 60ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 2µA @ 800V
Capacitancia a Vr, F : 40pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : SQ-MELF, E
Paquete del dispositivo del proveedor : D-5B
Temperatura de funcionamiento - Unión : -65°C ~ 150°C
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para JANTXV1N6629US
Hojas de datos : JANTXV1N6629US.pdf
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