TSM60N1R4CH C5G - MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251
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Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1015825 Pieces
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Especificaciones para TSM60N1R4CH C5G
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : TSM60N1R4CH C5G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción : MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251
Serie : -
Estado de la pieza : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3.3A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 7.7nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 370pF @ 100V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-251 (IPAK)
Paquete / Caja : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para TSM60N1R4CH C5G
Hojas de datos : TSM60N1R4CH C5G.pdf
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