NVF2955T1G - MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
23912 Pieces
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Especificaciones para NVF2955T1G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : NVF2955T1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.6A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 750mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 14.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 492pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-223 (TO-261)
Paquete / Caja : TO-261-4, TO-261AA
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : NVF2955T1G.pdf

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