EPC2107ENGRT - GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-EPC2107ENGRT
Fabricante
Breve descripción
GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
538710 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para EPC2107ENGRT
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : EPC2107ENGRT
Fabricante : EPC
Descripción : GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
Serie : eGaN®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Característica FET : GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Potencia - max : -
Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 9-VFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor : 9-BGA (1.35x1.35)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para EPC2107ENGRT
Hojas de datos : EPC2107ENGRT.pdf
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