FCP190N65S3R0 - MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
327740 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para FCP190N65S3R0
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
FCP190N65S3R0
Fabricante :
ON Semiconductor
Descripción :
MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I
Serie :
SuperFET® III
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
17A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1.7mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
33nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
1350pF @ 400V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
144W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor :
TO-220-3
Paquete / Caja :
TO-220-3
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para FCP190N65S3R0
Hojas de datos :
FCP190N65S3R0.pdf
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