EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR - IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Número de pieza del fabricante

EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

Número interno de parte

AX-EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

Fabricante

Micron Technology Inc.

Breve descripción

IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

100050 Pieces

Precio de referencia

~~USD 3.117828~~

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Especificaciones para EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

Fabricante : Micron Technology Inc.

Descripción : IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de memoria : Volatile

Formato de memoria : DRAM

Tecnología : SDRAM - Mobile LPDDR2

Tamaño de la memoria : 512Mb (16M x 32)

Frecuencia de reloj : 533MHz

Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : -

Tiempo de acceso : -

interfaz de memoria : Parallel

Suministro de voltaje : 1.14V ~ 1.95V

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 105°C (TC)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 134-VFBGA

Paquete del dispositivo del proveedor : 134-VFBGA (10x11.5)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : EDB5432B , EDB5432BEBH-

Documentos para EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

Hojas de datos : EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR.pdf

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