CSD85312Q3E - MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

Número de pieza del fabricante

CSD85312Q3E

Número interno de parte

AX-CSD85312Q3E

Fabricante

Texas Instruments

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1223455 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para CSD85312Q3E

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : CSD85312Q3E

Fabricante : Texas Instruments

Descripción : MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

Serie : NexFET™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Source

Característica FET : Logic Level Gate, 5V Drive

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 39A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.4 mOhm @ 10A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 15.2nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2390pF @ 10V

Potencia - max : 2.5W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-PowerVDFN

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-VSON (3.3x3.3)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para CSD85312Q3E

Hojas de datos : CSD85312Q3E.pdf

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