CSD85312Q3E - MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-CSD85312Q3E
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1223455 Pieces
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Especificaciones para CSD85312Q3E
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
CSD85312Q3E
Fabricante :
Texas Instruments
Descripción :
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Serie :
NexFET™
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Common Source
Característica FET :
Logic Level Gate, 5V Drive
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.4 mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
15.2nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
2390pF @ 10V
Potencia - max :
2.5W
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
8-PowerVDFN
Paquete del dispositivo del proveedor :
8-VSON (3.3x3.3)
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para CSD85312Q3E
Hojas de datos :
CSD85312Q3E.pdf
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