TK4P55D(T6RSS-Q) - MOSFET N-CH 550V 4A DPAK-3

Número de pieza del fabricante

TK4P55D(T6RSS-Q)

Número interno de parte

AX-TK4P55D(T6RSS-Q)

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

MOSFET N-CH 550V 4A DPAK-3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

12776 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para TK4P55D(T6RSS-Q)

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TK4P55D(T6RSS-Q)

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : MOSFET N-CH 550V 4A DPAK-3

Serie : π-MOSVII

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 550V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.88 Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 490pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 80W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : D-Pak

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para TK4P55D(T6RSS-Q)

Hojas de datos : TK4P55D(T6RSS-Q).pdf

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