PTAB182002TCV2R250XTMA1 - IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4

Número de pieza del fabricante

PTAB182002TCV2R250XTMA1

Número interno de parte

AX-PTAB182002TCV2R250XTMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

52926 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para PTAB182002TCV2R250XTMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : PTAB182002TCV2R250XTMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo de transistor : LDMOS

Frecuencia : 1.805GHz ~ 1.88GHz

Ganancia : 14.8dB

Voltaje - prueba : 28V

Valoración actual : 10µA

Figura de ruido : -

Corriente - Prueba : 520mA

Salida de potencia : 29W

Tensión nominal : 65V

Paquete / Caja : H-49248H-4

Paquete del dispositivo del proveedor : H-49248H-4

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : PTAB182 , PTAB182002T

Documentos para PTAB182002TCV2R250XTMA1

Hojas de datos : PTAB182002TCV2R250XTMA1.pdf

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