KLUDG8J1ZD-B0CQ - UFS 2.1 128 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 105 °C Mass Production
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UFS 2.1 128 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 105 °C Mass Production
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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1-2 días
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Especificaciones para KLUDG8J1ZD-B0CQ
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : KLUDG8J1ZD-B0CQ
Fabricante : Samsung Semiconductor
Descripción : UFS 2.1 128 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 105 °C Mass Production
Serie : DDR3
Versión : UFS 2.1
Densidad : 128 GB
voltaje : 1.8 / 3.3 V
Interfaz : G3 2Lane
Tamaño del paquete : 11.5 x 13 x 1.2 mm
Temperatura. : -40 ~ 105 °C
Estado del producto : Mass Production
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para KLUDG8J1ZD-B0CQ
Hojas de datos : KLUDG8J1ZD-B0CQ.pdf
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