GB05SLT12-252 - DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
134090 Pieces
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Especificaciones para GB05SLT12-252
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : GB05SLT12-252
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descripción : DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
Serie : -
Estado de la pieza : Not For New Designs
Tipo de diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 1200V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 5A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.8V @ 2A
Velocidad : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) : 0ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 50µA @ 1200V
Capacitancia a Vr, F : 260pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-252
Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 175°C
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para GB05SLT12-252
Hojas de datos : GB05SLT12-252.pdf
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