TPH3208LSG - GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
49428 Pieces
Precio de referencia
USD 6.81
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Especificaciones para TPH3208LSG

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : TPH3208LSG
Fabricante : Transphorm
Descripción : GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Serie : -
Estado de la pieza : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 20A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 14A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 300µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 8V
Vgs (Max) : ±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 760pF @ 400V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 3-PQFN (8x8)
Paquete / Caja : 3-PowerDFN
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : TPH3208LSG.pdf

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