HUF75639S3 - MOSFET N-CH 100V 56A TO-262AA
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-HUF75639S3
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 56A TO-262AA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
347605 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para HUF75639S3
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
HUF75639S3
Fabricante :
ON Semiconductor
Descripción :
MOSFET N-CH 100V 56A TO-262AA
Serie :
UltraFET™
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
56A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 56A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
130nC @ 20V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
2000pF @ 25V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor :
I2PAK (TO-262)
Paquete / Caja :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para HUF75639S3
Hojas de datos :
HUF75639S3.pdf
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