IPA60R125CFD7XKSA1 - HIGH POWERNEW

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
HIGH POWERNEW
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
95420 Pieces
Precio de referencia
USD 2.94
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Especificaciones para IPA60R125CFD7XKSA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IPA60R125CFD7XKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : HIGH POWERNEW
Serie : OptiMOS™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 11A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 390µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1503pF @ 400V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 32W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TO220 Full Pack
Paquete / Caja : TO-220-3 Full Pack
Peso : -
Condición : Nuevo y original
enlaces relacionados : IPA60R , IPA60R125

Documentos para IPA60R125CFD7XKSA1

Hojas de datos : IPA60R125CFD7XKSA1.pdf

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