1N649-1 - DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-1N649-1
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
116025 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para 1N649-1
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : 1N649-1
Fabricante : Microsemi Corporation
Descripción : DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo de diodo : Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 600V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 400mA
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1V @ 400mA
Velocidad : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) : -
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 50nA @ 600V
Capacitancia a Vr, F : -
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete / Caja : DO-204AH, DO-35, Axial
Paquete del dispositivo del proveedor : DO-35
Temperatura de funcionamiento - Unión : -65°C ~ 175°C
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para 1N649-1
Hojas de datos : 1N649-1.pdf
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