1N649-1 - DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-1N649-1
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
116025 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para 1N649-1
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
1N649-1
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descripción :
DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) :
600V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) :
400mA
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si :
1V @ 400mA
Velocidad :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) :
-
Corriente - Fuga inversa @ Vr :
50nA @ 600V
Capacitancia a Vr, F :
-
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete / Caja :
DO-204AH, DO-35, Axial
Paquete del dispositivo del proveedor :
DO-35
Temperatura de funcionamiento - Unión :
-65°C ~ 175°C
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para 1N649-1
Hojas de datos :
1N649-1.pdf
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