SI2329DS-T1-GE3 - MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23

Número de pieza del fabricante

SI2329DS-T1-GE3

Número interno de parte

AX-SI2329DS-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1839160 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.15255~~

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Especificaciones para SI2329DS-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SI2329DS-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23

Serie : TrenchFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 8V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 6A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 5.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1485pF @ 4V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-23-3 (TO-236)

Paquete / Caja : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para SI2329DS-T1-GE3

Hojas de datos : SI2329DS-T1-GE3.pdf

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