EPC2016C - GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE

Número de pieza del fabricante

EPC2016C

Número interno de parte

AX-EPC2016C

Fabricante

EPC

Breve descripción

GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

445330 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.63~~

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Especificaciones para EPC2016C

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : EPC2016C

Fabricante : EPC

Descripción : GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE

Serie : eGaN®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : GaNFET (Gallium Nitride)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 18A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 11A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 3mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 5V

Vgs (Max) : +6V, -4V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 420pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : -

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : Die

Paquete / Caja : Die

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para EPC2016C

Hojas de datos : EPC2016C.pdf

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Número de pieza	Marca	Descripción
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