TPN2010FNH,L1Q - MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
734075 Pieces
Precio de referencia
USD 0.3822
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Especificaciones para TPN2010FNH,L1Q

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : TPN2010FNH,L1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción : MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Serie : U-MOSVIII-H
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 250V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 5.6A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 198 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 200µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 600pF @ 100V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 700mW (Ta), 39W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquete / Caja : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : TPN2010FNH,L1Q.pdf

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