US1MHE3/5AT - DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-US1MHE3/5AT
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
14024 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para US1MHE3/5AT
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : US1MHE3/5AT
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Serie : -
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo de diodo : Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 1000V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 1A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.7V @ 1A
Velocidad : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) : 75ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 1000V
Capacitancia a Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : DO-214AC, SMA
Paquete del dispositivo del proveedor : DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 150°C
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para US1MHE3/5AT
Hojas de datos : US1MHE3/5AT.pdf
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