IXTN120P20T - MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-IXTN120P20T
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
20512 Pieces
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Especificaciones para IXTN120P20T
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IXTN120P20T
Fabricante : IXYS
Descripción : MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227
Serie : TrenchP™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 106A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 740nC @ 10V
Vgs (Max) : ±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 73000pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 830W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Chassis Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-227B
Paquete / Caja : SOT-227-4, miniBLOC
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para IXTN120P20T
Hojas de datos : IXTN120P20T.pdf
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