DMN1032UCB4-7 - MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Número de pieza del fabricante

DMN1032UCB4-7

Número interno de parte

AX-DMN1032UCB4-7

Fabricante

Diodes Incorporated

Breve descripción

MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1859565 Pieces

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Especificaciones para DMN1032UCB4-7

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : DMN1032UCB4-7

Fabricante : Diodes Incorporated

Descripción : MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 12V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4.8A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 450pF @ 6V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 900mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : U-WLB1010-4

Paquete / Caja : 4-UFBGA, WLBGA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para DMN1032UCB4-7

Hojas de datos : DMN1032UCB4-7.pdf

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