MT47H128M4B6-25E:D TR - IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Número de pieza del fabricante

MT47H128M4B6-25E:D TR

Número interno de parte

AX-MT47H128M4B6-25E:D TR

Fabricante

Micron Technology Inc.

Breve descripción

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

6832 Pieces

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Especificaciones para MT47H128M4B6-25E:D TR

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : MT47H128M4B6-25E:D TR

Fabricante : Micron Technology Inc.

Descripción : IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo de memoria : Volatile

Formato de memoria : DRAM

Tecnología : SDRAM - DDR2

Tamaño de la memoria : 512Mb (128M x 4)

Frecuencia de reloj : 400MHz

Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : 15ns

Tiempo de acceso : 400ps

interfaz de memoria : Parallel

Suministro de voltaje : 1.7V ~ 1.9V

Temperatura de funcionamiento : 0°C ~ 85°C (TC)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 60-FBGA

Paquete del dispositivo del proveedor : 60-FBGA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : MT47H12 , MT47H128M4

Documentos para MT47H128M4B6-25E:D TR

Hojas de datos : MT47H128M4B6-25E:D TR.pdf

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WF135272WL60236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 16KV SCREW.
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BZ120055WC16136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 160PF 9KV AXIAL.
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