IRF6665TR1PBF - MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Especificaciones para IRF6665TR1PBF

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IRF6665TR1PBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Serie : HEXFET®
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4.2A (Ta), 19A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 62 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 530pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : DIRECTFET™ SH
Paquete / Caja : DirectFET™ Isometric SH
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : IRF6665TR1PBF.pdf

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