SSM3K123TU,LF - MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
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Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
3542470 Pieces
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Especificaciones para SSM3K123TU,LF
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
SSM3K123TU,LF
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción :
MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Serie :
U-MOSIII
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
4.2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28 mOhm @ 3A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
13.6nC @ 4V
Vgs (Max) :
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
1010pF @ 10V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento :
150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
UFM
Paquete / Caja :
3-SMD, Flat Leads
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para SSM3K123TU,LF
Hojas de datos :
SSM3K123TU,LF.pdf
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