BSS225H6327FTSA1 - MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89

Número de pieza del fabricante

BSS225H6327FTSA1

Número interno de parte

AX-BSS225H6327FTSA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1728800 Pieces

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Especificaciones para BSS225H6327FTSA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : BSS225H6327FTSA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89

Serie : SIPMOS®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 90mA (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 Ohm @ 90mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 94µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 5.8nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 131pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-SOT89

Paquete / Caja : TO-243AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para BSS225H6327FTSA1

Hojas de datos : BSS225H6327FTSA1.pdf

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