IDB23E60ATMA1 - DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
16696 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para IDB23E60ATMA1
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
IDB23E60ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descripción :
DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3
Serie :
-
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo de diodo :
Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) :
600V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) :
41A (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si :
2V @ 23A
Velocidad :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) :
120ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr :
50µA @ 600V
Capacitancia a Vr, F :
-
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete del dispositivo del proveedor :
PG-TO263-3-2
Temperatura de funcionamiento - Unión :
-55°C ~ 175°C
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para IDB23E60ATMA1
Hojas de datos :
IDB23E60ATMA1.pdf
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