SIDR668DP-T1-GE3 - MOSFET N-CH 100V

Número de pieza del fabricante

SIDR668DP-T1-GE3

Número interno de parte

AX-SIDR668DP-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

333210 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.841998~~

Nuestro precio

- (Póngase en contacto con nosotros para obtener un mejor precio: [email protected])

AX Semiconductor tiene SIDR668DP-T1-GE3 en stock para vender. Podemos enviarle dentro de 1-2 días. Póngase en contacto con nosotros para obtener un mejor precio para SIDR668DP-T1-GE3. Nuestro correo electrónico: [email protected]

Opciones de envío y tiempo de envío:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opciones de pago:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Especificaciones para SIDR668DP-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SIDR668DP-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET N-CH 100V

Serie : TrenchFET® Gen IV

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 23.2A (Ta), 95A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 7.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 108nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 5400pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 6.25W (Ta), 125W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® SO-8DC

Paquete / Caja : PowerPAK® SO-8

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SIDR6 , SIDR668D

Documentos para SIDR668DP-T1-GE3

Hojas de datos : SIDR668DP-T1-GE3.pdf

Productos relacionados para SIDR668DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Número de pieza	Marca	Descripción
WF135272WL60236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 16KV SCREW.
PEF220BJ70238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7000PF 15KV R230 DISK.
BZ118078WV75036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 75PF 30KV AXIAL.
WI140316WQ75236BJ3	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
TF170279BQ50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 25KV R85.
WF165278WP60238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV SCREW.
WF135218WL40238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 16KV SCREW.
BZ120055WC16136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 160PF 9KV AXIAL.
WI106266WL50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
GRM1555C1E8R1CZ01D	Murata Electronics North America	CAP CER 8.1PF 25V NP0 0402.
WF165336WP76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 20KV SCREW.
GRM0225C1E5R6DDAEL	Murata Electronics North America	CAP CER 5.6PF 25V C0G/NP0 01005.
WI085175WJ22238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2200PF 14KV.
WF135242BQ25236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2500PF 25KV SCREW.
WF135250WL50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
WF110250WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
WF135242WP30238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 3000PF 20KV SCREW.
WI140316WQ75236BJ4	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
PEF220WH10336BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK.
WX095162WJ25236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2500PF 14KV SCREW.