DMN21D2UFB-7B - MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN

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Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
5446785 Pieces
Precio de referencia
USD 0.05151
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Especificaciones para DMN21D2UFB-7B

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : DMN21D2UFB-7B
Fabricante : Diodes Incorporated
Descripción : MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 760mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 990 mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 0.93nC @ 10V
Vgs (Max) : ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 27.6pF @ 16V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 380mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Paquete / Caja : 3-UFDFN
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : DMN21D2UFB-7B.pdf

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