DMN3009SFGQ-13 - MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8

Número de pieza del fabricante

DMN3009SFGQ-13

Número interno de parte

AX-DMN3009SFGQ-13

Fabricante

Diodes Incorporated

Breve descripción

MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

955345 Pieces

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Especificaciones para DMN3009SFGQ-13

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : DMN3009SFGQ-13

Fabricante : Diodes Incorporated

Descripción : MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8

Serie : Automotive, AEC-Q101

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 16A (Ta), 45A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2000pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 900mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PowerDI3333-8

Paquete / Caja : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : DMN3 , DMN3009

Documentos para DMN3009SFGQ-13

Hojas de datos : DMN3009SFGQ-13.pdf

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