IRFP4668PBF - MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC

Número de pieza del fabricante

IRFP4668PBF

Número interno de parte

AX-IRFP4668PBF

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

57580 Pieces

Precio de referencia

~~USD 4.872~~

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Especificaciones para IRFP4668PBF

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRFP4668PBF

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC

Serie : HEXFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 130A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.7 mOhm @ 81A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 241nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 10720pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 520W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-247AC

Paquete / Caja : TO-247-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IRFP4668PBF

Hojas de datos : IRFP4668PBF.pdf

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